Рейтинг@Mail.ru
Центр Хруничева подтвердил получение иска Минобороны - РИА Новости, 19.05.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Центр Хруничева подтвердил получение иска Минобороны

© РИА Новости / Рамиль Ситдиков | Перейти в медиабанкСборка ракет-носителей "Протон" в центре имени Хруничева. Архивное фото
Сборка ракет-носителей Протон в центре имени Хруничева. Архивное фото
Читать ria.ru в
Сейчас юристы центра имени Хруничева внимательно изучают иск, иск касается нештатного запуска "Протона" в 2013 году. Более подробная информация последует позднее, сообщили журналистам в дирекции по коммуникациям центра имени Хруничева.

МОСКВА, 19 мая — РИА Новости. Центр имени Хруничева подтвердил получение иска Минобороны РФ на 1,8 миллиарда рублей в связи с крушением ракеты-носителя "Протон-М" в 2013 году.

Государственный космический научно-производственный центр имени М.В. Хруничева в Москве. Архивное фото
Минобороны подало иск к разработчику "Протона" на 1,8 млрд рублей
Ранее сообщалось, что Минобороны подало иск к разработчику ракет-носителей "Протон" на 1,8 миллиарда рублей.

"Да, действительно такой иск есть. Сейчас юристы центра имени Хруничева его внимательно изучают, иск касается нештатного запуска "Протона" в 2013 году. Более подробная информация последует позднее — не ранее чем в конце июля 2015 года", — сообщили журналистам в дирекции по коммуникациям центра имени Хруничева.

Ракета-носитель с тремя спутниками "Глонасс-М" отклонилась от курса и упала на территории Байконура на первой минуте полета 2 июля 2013 года.

Последнее ЧП с ракетой-носителем "Протон-М" случилось в ночь на 16 мая, в результате был утерян мексиканский спутник. Предполагаемая причина, согласно предварительным данным, — нештатная работа турбонасосного агрегата двигателя третьей ступени.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала