Рейтинг@Mail.ru
Эксперт рассказал о месте России в мире после окончания лидерства США - РИА Новости, 30.06.2020
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Эксперт рассказал о месте России в мире после окончания лидерства США

Читать ria.ru в
МОСКВА, 30 июн — РИА Новости. Наследниками США в мировом лидерстве могут стать Россия, Индия и Китай. Так генеральный директор Института региональных проблем Дмитрий Журавлев в беседе с "Вечерней Москвой" прокомментировал заявление канцлера Германии Ангелы Меркель.
Ранее Меркель заявила, что европейские страны должны всерьез задуматься над новой реальностью, где Соединенные Штаты могут не стремиться быть мировым лидером.
Эксперт отмечает, что США перестали быть абсолютными лидерами в мире.
«

"Просто после 1945 года Европа привыкла думать, что американцы — главные", — пояснил Журавлев.

По словам специалиста, у Соединенных Штатов сильная армия, однако уже не самая сильная экономика.
Канцлер Германии Ангела Меркель с президентом США Дональдом Трампом
Politico рассказала о споре Трампа и Меркель о "Северном потоке — 2"
Журавлев считает, что Россия имеет огромный потенциал, прежде всего — фундаментальную науку.
Политолог подчеркивает, что новыми конкурентами США стали Китай и Индия, однако у них нет развитой фундаментальной науки, которая обеспечивала бы новые отрасли в экономике. При этом он заметил, что наука в этих странах развивается высокими темпами.
Ранее немецкий канцлер уже выступала с критическими высказываниями в адрес Соединенных Штатов. В частности, в сентябре она заявила, что Европе необходимо самой думать о своей безопасности, потому что США не будут защищать ее автоматически, как это было во времена холодной войны.
Строительство газопровода в территориальных водах Германии
Мир перевернулся: Германия готовит санкции против США
 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала