РИА Новости
Новости в России и мире, самая оперативная информация: темы дня, обзоры, анализ. Фото и видео с места событий, инфографика, радиоэфир, подкасты
https://cdn22.img.ria.ru/i/export/ria/logo.png
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на
Ивановская область
Ивановская область

В Иванове открыли памятник изобретателю ранцевого парашюта

ИВАНОВО, 27 ноя – РИА Новости. Памятник русскому изобретателю, создателю авиационного ранцевого парашюта Глебу Котельникову открыли в Иванове, сообщил РИА Новости представитель пресс-службы регионального правительства.
Монумент появился у парашютного завода "Полет", который является единственным в России предприятием полного цикла по производству парашютных систем.
"Где, как не у нас в Иванове открыть памятник Глебу Котельникову – талантливому самоучке, который придумал первый ранцевый парашют. И мы сегодня присутствуем на предприятии, который производит около 90% всех парашютов для наших Вооруженных сил, работает уверенно и наращивает производство", - сказал губернатор Ивановской области Станислав Воскресенский на церемонии открытия памятника.
Цветы к монументу возложили работники и ветераны завода "Полет", воины-десантники 98-й воздушно-десантной дивизии, школьники. В торжественном мероприятии также приняла участие депутат Госдумы, первая женщина-космонавт Валентина Терешкова.
Иваново, Россия
Ивановская область – в числе лидеров по ремонту дорог в рамках нацпроекта
Рекомендуем
Президент РФ Владимир Путин, президент Франции Эммануэль Макрон, президент Украины Владимир Зеленский и федеральный канцлер Германии Ангела Меркель во время встречи в Нормандском формате в Елисейском дворце
На Украине утверждают, что Зеленский "сорвался" на Лаврова в Париже
В пригороде Владивостока столкнулись 48 автомобилей
В пригороде Владивостока столкнулись 48 автомобилей
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала