Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Керри надеется на окончательный договор по урегулированию в Колумбии

Президент Колумбии Хуан Мануэль Сантос заявил по итогам переговоров в Гаване, что мирный договор по урегулированию вооруженного конфликта между властями и повстанцами в стране будет подписан максимум через полгода.

ВАШИНГТОН, 24 сен — РИА Новости, Алексей Богдановский. Госсекретарь США Джон Керри приветствовал в среду достигнутые договоренности между властями и повстанческими Революционными вооруженным силами Колумбии (РВСК), выразив надежду, что в скором времени стороны смогут заключить окончательное мирное соглашение.

Президент Колумбии Хуан Мануэль Сантос заявил по итогам переговоров в Гаване, что мирный договор по урегулированию будет подписан максимум через полгода.

"Нынешние заявления, сделанные на мирных переговорах в Гаване, — это исторически важный прогресс в направлении окончательного мирного соглашения после более чем 50 лет вооруженного конфликта", — заявил Керри, добавив, что от конфликта пострадали миллионы человек. "Мы надеемся, что стороны скоро завершат окончательное соглашение, которое покончит с этой ужасной войной", — сказал Керри. По его словам, он лично поздравил по телефону президента Колумбии Сантоса.

Керри также поблагодарил папу Римского Франциска, который, по его словам, добивался мира в Колумбии. Франциск прибыл на этой неделе в США с визитом, предыдущим пунктом его заграничного турне была Гавана, где проходили переговоры по урегулированию в Колумбии.

РВСК были созданы в 1964 году как военное крыло местной коммунистической партии для ведения борьбы за построение "Новой Колумбии" — общества социальной справедливости и равенства. РВСК признаны США и Европой террористической организацией и подозреваются в связях с наркомафией. В рядах группировки состоят до 20 тысяч бойцов.

Рекомендуем
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Чтобы участвовать в дискуссии
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Чаты
Заголовок открываемого материала