Рейтинг@Mail.ru
Рябков: США и Россия в Сочи обсудили важные детали соглашения по ИЯП - РИА Новости, 14.05.2015
Регистрация пройдена успешно!
Пожалуйста, перейдите по ссылке из письма, отправленного на

Рябков: США и Россия в Сочи обсудили важные детали соглашения по ИЯП

© РИА Новости / Валерий Мельников | Перейти в медиабанкЗаместитель министра иностранных дел РФ Сергей Рябков. Архивное фото
Заместитель министра иностранных дел РФ Сергей Рябков. Архивное фото
Читать ria.ru в
"Главное, что подтверждена решимость продолжить взаимодействие (между РФ и США) в интересах выработки договоренности по этой сложной застарелой проблеме. Были определенные детали в этом обсуждении, которые нам, как переговорщикам, занимающимся выработкой итогового документа, помогут", — отметил замглавы МИД РФ.

ВЕНА, 14 мая — РИА Новости. Россия и США в Сочи обсудили детали соглашения по Ирану, которые очень помогут выработке финального документа, заявил журналистам замглавы МИД РФ Сергей Рябков.

Иранский флаг в Вене, архивное фото
МИД: Россия стоит на страже прерогатив СБ ООН по санкциям по Ирану
"Главное, что подтверждена решимость продолжить взаимодействие (между РФ и США) в интересах выработки договоренности по этой сложной застарелой проблеме. Были определенные детали в этом обсуждении, которые нам, как переговорщикам, занимающимся выработкой итогового документа, помогут. Я надеюсь завтра продолжить обсуждение в этом же ключе… с американскими коллегами", — сказал Рябков.

Страны "шестерки" и Иран договорились завершить переговоры о снятии санкций с Ирана в обмен на гарантии мирного характера его ядерной программы до 30 июня текущего года. Предыдущий раунд переговоров проходил в Нью-Йорке в начале мая, в ходе которого стороны заявили, что начали работу над окончательным текстом соглашения. Очередной раунд переговоров начался во вторник в Вене.

 
 
 
Лента новостей
0
Сначала новыеСначала старые
loader
Онлайн
Заголовок открываемого материала
Чтобы участвовать в дискуссии,
авторизуйтесь или зарегистрируйтесь
loader
Обсуждения
Заголовок открываемого материала